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SQ3419AEEV-T1_BE3
1个P沟道 耐压:40V 电流:6.9A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQ3419AEEV-T1_BE3
- 商品编号
- C7318436
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 61mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 975pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 沟槽式场效应晶体管(TrenchFET)功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行Rq和UIS测试
- 典型ESD保护电压为800 V
应用领域
- 开关模式电源(SMPS)-反激式转换器-照明-高强度气体放电灯(HID)-荧光灯镇流器照明-消费类产品-墙壁适配器