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SIS108DN-T1-GE3
1个N沟道 耐压:80V 电流:6.7A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET，针对最低的RDS×Qoss品质因数进行了优化。 100%进行Rg和UIS测试。应用：初级侧开关。 DC/DC转换器
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIS108DN-T1-GE3
- 商品编号
- C7316361
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.08克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 34mΩ@10V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | 24W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 545pF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 75pF |
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