温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SIJH5700E-T1-GE3
1个N沟道 耐压:150V 电流:17A 电流:174A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：TrenchFET Gen V功率MOSFET。 完全无铅（Pb）器件。 极低的RDS×Qg品质因数（FOM），符合RoHS标准。 最大连续漏极电流高达174 A。 比D2PAK（TO-263）封装尺寸小50%。 100%进行Rg和UIS测试。应用：同步整流。 或运算
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIJH5700E-T1-GE3
- 商品编号
- C7316212
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A；174A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 333W；3.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 140nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- TrenchFET第五代功率MOSFET
- 完全无铅(Pb)器件
- 极低的RDS x Qg品质因数(FOM)
- 最大连续漏极电流高达174 A
- 占位面积比D2PAK(TO - 263)小50%
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
-同步整流-或门功能-电机驱动控制-电池管理