SIHFB11N50A-E3
1个N沟道 耐压:500V 电流:11A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHFB11N50A-E3
- 商品编号
- C7316152
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 520mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 170W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.423nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低栅极电荷Qg,驱动要求简单
- 改善了栅极、雪崩和动态dV/dt鲁棒性
- 对电容、雪崩电压和电流进行了全面表征
应用领域
- 开关模式电源 (SMPS)
- 不间断电源
- 高速功率开关
- 双晶体管正激电路
- 半桥和全桥电路
- 功率因数校正升压电路
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