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SIHG018N60E-GE3
1个N沟道 耐压:600V 电流:99A
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- 描述
- 特性：第四代E系列技术。 低品质因数 (FOM) R(on) × Q(g)。 低有效电容 (C(O(er)))。 降低开关和传导损耗。 雪崩能量额定 (UIS)。应用：服务器和电信电源。 开关模式电源 (SMPS)
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHG018N60E-GE3
- 商品编号
- C7316162
- 商品封装
- TO-247AC
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 4.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 99A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 524W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 228nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.612nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 336pF |
优惠活动
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起订量：1 个25个/管
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