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SIHG24N65EF-GE3实物图
  • SIHG24N65EF-GE3商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SIHG24N65EF-GE3

1个N沟道 耐压:650V 电流:24A

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品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SIHG24N65EF-GE3
商品编号
C7316172
商品封装
TO-247AC​
包装方式
管装
商品毛重
7.562克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)24A
导通电阻(RDS(on))156mΩ@10V
耗散功率(Pd)250W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)122nC@10V
输入电容(Ciss)2.774nF
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 采用E系列技术的快速体二极管MOSFET
  • 降低trr、Qrr和IRRM
  • 低品质因数(FOM)Ron × Qg
  • 低输入电容(Ciss)
  • 因Qrr降低而具有低开关损耗
  • 超低栅极电荷(Qg)
  • 雪崩能量额定(UIS)

应用领域

  • 电信
  • 服务器和电信电源
  • 照明
  • 高强度气体放电灯(HID)
  • 荧光灯镇流器照明
  • 消费电子和计算机
  • ATX电源
  • 工业
  • 焊接
  • 电池充电器
  • 可再生能源
  • 太阳能(光伏逆变器)
  • 开关模式电源(SMPS)
  • 采用以下拓扑的应用
  • LCC
  • 移相桥(ZVS)
  • 三电平逆变器
  • 交直流桥

数据手册PDF