SIHG180N60E-GE3
1个N沟道 耐压:600V 电流:19A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHG180N60E-GE3
- 商品编号
- C7316168
- 商品封装
- TO-247AC
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 156W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.085nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 第四代E系列技术
- 低品质因数(FOM)导通电阻×栅极电荷(Ron x Qg)
- 低有效电容(Co(er))
- 降低开关和传导损耗
- 雪崩能量额定值(UIS)
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
-服务器和电信电源-开关模式电源(SMPS)-功率因数校正电源(PFC)-照明-高强度气体放电灯(HID)-荧光灯镇流器照明-工业应用-焊接-感应加热-电机驱动-电池充电器-太阳能(光伏逆变器)
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