SIHFBE30STRL-GE3
1个N沟道 耐压:800V 电流:4.1A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHFBE30STRL-GE3
- 商品编号
- C7316155
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 78nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 动态dV/dt额定值
- 重复雪崩额定值
- 快速开关
- 易于并联
- 驱动要求简单
应用领域
- 负载开关
- 功率放大器（PA）开关
- 直流-直流（DC/DC）转换器
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