商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 连续漏极电流(Id) | 230A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@10V,50A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 480W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 178nC@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 125pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
最新的650 V CoolIMOST™ CFD7扩展了CFD7系列的电压等级产品，是650 V CoolIMOST™ CFD2的换代产品。凭借改进的开关性能和出色的热性能，650 V CoolIMOST™ CFD7在谐振开关拓扑（如LLC和移相全桥（ZVS））中实现了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这一新产品系列融合了快速开关技术的所有优势以及卓越的硬换相鲁棒性。CoolIMOST™ CFD7技术符合最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。
商品特性
- 超快速体二极管
- 650 V击穿电压
- 同类最佳的RDS(on)
- 降低开关损耗
- RDS(on)随温度的变化小
应用领域
- 适用于软开关拓扑
- 针对移相全桥（ZVS）、LLC应用进行优化 - 服务器、电信、电动汽车充电、太阳能