商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 连续漏极电流(Id) | 230A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 480W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 178nC@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 125pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
最新的650 V CoolIMOST™ CFD7扩展了CFD7系列的电压等级产品，是650 V CoolIMOST™ CFD2的换代产品。凭借改进的开关性能和出色的热性能，650 V CoolIMOST™ CFD7在谐振开关拓扑（如LLC和移相全桥（ZVS））中实现了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这一新产品系列融合了快速开关技术的所有优势以及卓越的硬换相鲁棒性。CoolIMOST™ CFD7技术符合最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。
商品特性
-国际标准封装-工作温度达175°C-高电流处理能力-雪崩额定值-低导通电阻RDS(ON)-易于安装-节省空间-高功率密度
应用领域
- 汽车领域
- 电机驱动
- 12V电池
- 防抱死制动系统(ABS)
- DC/DC转换器和离线式UPS
- 初级侧开关
- 大电流开关应用
- 源漏二极管