IXTR120P20T
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V,60A | |
| 耗散功率(Pd) | 595W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 740nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 73nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 480pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 直接敷铜（DCB）基板上的硅芯片
- 隔离安装面
- 2500V~电气隔离
- 雪崩额定
- 扩展正向偏置安全工作区（FBSOA）
- 快速本征整流器
- 低漏源导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（QG）
- 易于安装
- 节省空间
- 高功率密度
应用领域
-高端开关-推挽放大器-直流斩波器-自动测试设备-电流调节器-电池充电器应用