IXTX6N200P3HV
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 143nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.7nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 104pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 直接覆铜基板上的硅芯片
- 高功率耗散
- 隔离安装面
- 2500V电气隔离
- 低漏极到散热片电容（<30pF）
- 低RDS(on) HDMOST™工艺
- 坚固的多晶硅栅单元结构
- 额定用于非钳位感性负载开关（UIS）
- 快速本征整流器
应用领域
- DC-DC转换器-电池充电器-开关模式和谐振模式电源-直流斩波器-交流电机控制