商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 4.5kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.4A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 88nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 52pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 高阻断电压
- 高压封装
- 易于安装
- 节省空间
- 高功率密度
应用领域
- 高压电源
- 电容放电应用
- 脉冲电路
- 激光和X射线发生系统
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