IXTX1R4N450HV
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 4.5kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.4A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 88nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.3nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 52pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- miniBLOC封装
- 电气隔离铜底座
- 与散热器的耦合电容低，可降低电磁干扰（EMI）
- 国际标准封装SOT - 227
- 易于螺丝组装
- 第三代快速CoolMOS™ 1)功率MOSFET
- 高阻断能力
- 低导通电阻
- 雪崩额定值适用于无钳位电感开关（UIS）
- 芯片厚度减小，热阻低
- 总功率密度提高
应用领域
- 开关模式电源（SMPS）
- 不间断电源（UPS）
- 功率因数校正（PFC）
- 焊接
- 感应加热