商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 34A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 96mΩ@10V,34A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 54nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.7pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 直接敷铜基板（DCB）上的硅芯片
- UL认证封装
- 隔离安装面
- 2500V电气隔离
- 低导通电阻RDS(on)和栅极电荷QG
- 雪崩额定
- 低封装电感
- 快速本征整流器
- 高功率密度
- 易于安装
- 节省空间
应用领域
- 直流-直流转换器-电池充电器-开关模式和谐振模式电源-直流斩波器-交流和直流电机驱动器-不间断电源-高速功率开关应用