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IXTA48N20T实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IXTA48N20T

IXTA48N20T

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商品型号
IXTA48N20T
商品编号
C7211758
商品封装
TO-263AA​
包装方式
管装
商品毛重
1.995克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)48A
属性参数值
耗散功率(Pd)250W
阈值电压(Vgs(th))4.5V
栅极电荷量(Qg)60nC@10V
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

第三代功率MOSFET采用先进的加工技术,在单位硅片面积上实现极低的导通电阻。这一优势,结合功率MOSFET广为人知的快速开关速度和坚固的器件设计,为设计师提供了一种高效可靠的器件,可广泛应用于各种领域。 D²PAK是一种表面贴装功率封装,能够容纳尺寸达HEX - 4的芯片。在现有的任何表面贴装封装中,它具有最高的功率处理能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低,D²PAK适用于大电流应用,在典型的表面贴装应用中可耗散高达2.0 W的功率。 对于低外形应用,可选用通孔版本(IRFZ44L、SiHFZ44L)。

商品特性

  • 先进的工艺技术
  • 表面贴装(IRFZ44S、SiHFZ44S)
  • 低外形通孔(IRFZ44L、SiHFZ44L)
  • 175 °C工作温度
  • 快速开关

数据手册PDF