商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 96A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 29mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 625W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 114nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
-国际标准封装-雪崩额定-低封装电感-易于驱动和保护-易于安装-节省空间-高功率密度
应用领域
-DC-DC 转换器-电池充电器-开关模式和谐振模式电源-直流斩波器-交流电机控制-不间断电源