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IXTQ120N15P引脚图
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IXTQ120N15P

IXTQ120N15P

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商品型号
IXTQ120N15P
商品编号
C7211774
商品封装
TO-3P​
包装方式
管装
商品毛重
6.771克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)120A
导通电阻(RDS(on))16mΩ@10V
耗散功率(Pd)600W
阈值电压(Vgs(th))5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)150nC
输入电容(Ciss)4.9nF
反向传输电容(Crss)330pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1.3nF
栅极电压(Vgs)±20V

商品特性

  • 国际标准封装
  • 具备非箝位电感开关(UIS)额定值
  • 封装电感低,易于驱动和保护

应用领域

  • DC-DC转换器-电池充电器-开关模式和谐振模式电源-DC斩波器-温度和照明控制

数据手册PDF