- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC | |
| 输入电容(Ciss) | 825pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 58pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 国际标准封装
- 雪崩额定
- 低封装电感(< 5nH)
- 快速开关时间
- 易于安装
- 节省空间
- 高功率密度
应用领域
- 开关模式和谐振模式电源
- 反激式逆变器
- 直流斩波器