IXTA130N10T7
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.1mΩ@10V,25A | |
| 耗散功率(Pd) | 360W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 104nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.08nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
~~- 国际标准封装-工作温度达175°C-高电流处理能力-雪崩额定值-低导通电阻RDS(ON)-易于安装-节省空间-高功率密度
应用领域
- 汽车领域
- 电机驱动
- 12V电池
- 防抱死制动系统（ABS）
- DC/DC转换器和离线式UPS
- 初级侧开关
- 大电流开关应用
- 源漏二极管