商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 300V | |
| 连续漏极电流(Id) | 94A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@10V,94A | |
| 耗散功率(Pd) | 890W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 190nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 11.4nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 116pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 TO - 220 FULLPAK封装消除了商业 - 工业应用中对额外绝缘硬件的需求。所使用的模塑料具有高隔离能力，且引脚与外部散热器之间的热阻较低。这种隔离效果相当于在标准TO - 220产品中使用100微米的云母屏障。FULLPAK封装可使用单个夹子或单个螺丝固定在散热器上。
商品特性
- 隔离封装
- 高电压隔离 = 2.5 kVRMS（t = 60 s；f = 60 Hz）
- 散热片到引脚的爬电距离 = 4.8 mm
- 工作温度175 °C
- 动态dV/dt额定值
- 低热阻