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IXFN160N30T实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IXFN160N30T

IXFN160N30T

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商品型号
IXFN160N30T
商品编号
C7211712
商品封装
SOT-227B​
包装方式
管装
商品毛重
43.536克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)300V
连续漏极电流(Id)130A
导通电阻(RDS(on))19mΩ@10V
耗散功率(Pd)900W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)376nC@10V
输入电容(Ciss)24.5nF
反向传输电容(Crss)45pF
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 国际标准封装
  • miniBLOC,带氮化铝隔离
  • 隔离电压约 2500 V
  • 高电流处理能力
  • 快速本征二极管
  • 雪崩额定
  • 低导通电阻 RDS(on)

应用领域

  • DC-DC 转换器
  • 电池充电器
  • 开关模式和谐振模式电源
  • 直流斩波器
  • 交流电机驱动器
  • 不间断电源
  • 高速功率开关应用

数据手册PDF