商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 660W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
商品特性
- 国际标准封装
- 快速恢复二极管
- 具备非钳位电感开关(UIS)额定值
- 封装电感低
- 易于驱动和保护
- 易于安装
- 节省空间
- 功率密度高
应用领域
-开关模式和谐振模式电源-直流-直流转换器-激光驱动器-交流和直流电机控制-机器人技术和伺服控制
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 660W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
-开关模式和谐振模式电源-直流-直流转换器-激光驱动器-交流和直流电机控制-机器人技术和伺服控制