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IXTN660N04T4实物图
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IXTN660N04T4

IXTN660N04T4

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商品型号
IXTN660N04T4
商品编号
C7211766
商品封装
SOT-227B​
包装方式
管装
商品毛重
43.536克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)660A
导通电阻(RDS(on))0.85mΩ@10V
属性参数值
耗散功率(Pd)1.04kW
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)860nC@10V
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+175℃

商品特性

  • 国际标准封装
  • miniBLOC,带氮化铝隔离
  • 工作温度 175°C
  • 隔离电压 2500 V~
  • 高电流处理能力
  • 快速本征二极管
  • 雪崩额定
  • 低 RDS(on)
  • 易于安装
  • 节省空间
  • 高功率密度

应用领域

-直流-直流转换器和离线式 UPS-初级侧开关-高速功率开关应用

数据手册PDF