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IXTT10P60

IXTT10P60

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商品型号
IXTT10P60
商品编号
C7211783
商品封装
TO-268AA​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)10A
属性参数值
耗散功率(Pd)300W
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)135nC@10V
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 国际标准封装
  • 低导通状态漏源电阻(RDS(on))HDMOST™ 工艺
  • 坚固的多晶硅栅单元结构
  • 雪崩额定值
  • 低封装电感
  • 易于驱动和保护
  • 易于安装
  • 节省空间
  • 高功率密度

应用领域

  • 高端开关
  • 推挽放大器
  • 直流斩波器
  • 自动测试设备

数据手册PDF