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IXTP6N50D2实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IXTP6N50D2

IXTP6N50D2

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商品型号
IXTP6N50D2
商品编号
C7211772
商品封装
TO-220-3​
包装方式
管装
商品毛重
2.718克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)500V
属性参数值
连续漏极电流(Id)6A
耗散功率(Pd)300W

商品概述

这些N沟道功率MOSFET采用创新的UltraFET工艺制造。这种先进的工艺技术可在单位硅片面积上实现尽可能低的导通电阻,从而带来卓越的性能。该器件能够在雪崩模式下承受高能量,其二极管具有极短的反向恢复时间和极少的存储电荷。它专为对电源效率要求较高的应用而设计,如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关,以及便携式和电池供电产品的电源管理。

商品特性

  • 常开模式
  • 国际标准封装
  • 模塑环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
  • 易于安装
  • 节省空间
  • 高功率密度

应用领域

-音频放大器-启动电路-保护电路-斜坡发生器-电流调节器-有源负载

数据手册PDF