IXFR80N50P
IXFR80N50P
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- 品牌名称
- Littelfuse(美国力特)
- 商品型号
- IXFR80N50P
- 商品编号
- C7211734
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 72mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 360W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 197nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 12.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款HEXFET功率MOSFET专为等离子显示屏（PDP）的维持、能量回收和通路开关应用而设计。该MOSFET采用最新的工艺技术，实现了单位硅面积低导通电阻和低EPULSE额定值。这款MOSFET的其他特性包括175°C的工作结温和高重复峰值电流能力。这些特性相结合，使该MOSFET成为PDP驱动应用中高效、耐用且可靠的器件。
商品特性
- 直接覆铜基板上的硅芯片
- 高功率耗散
- 隔离安装面
- 2500V电气隔离
- 低漏极到散热片电容(<30pF)
- 低RDS(on) HDMOSTTM工艺
- 坚固的多晶硅栅单元结构
- 额定用于非钳位感性负载开关(UIS)
- 快速本征整流器
应用领域
-DC-DC转换器-电池充电器-开关模式和谐振模式电源-直流斩波器-交流电机控制