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IXFN26N120P实物图
  • IXFN26N120P商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IXFN26N120P

IXFN26N120P

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商品型号
IXFN26N120P
商品编号
C7211719
商品封装
SOT-227B​
包装方式
管装
商品毛重
43.536克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)1.2kV
连续漏极电流(Id)23A
导通电阻(RDS(on))500mΩ@10V,13A
属性参数值
耗散功率(Pd)695W
阈值电压(Vgs(th))3.5V
栅极电荷量(Qg)255nC@10V
反向传输电容(Crss)50pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 国际标准封装
  • 低本征栅极电阻
  • 带氮化铝隔离的miniBLOC封装
  • 快速本征二极管
  • 动态dv/dt额定值
  • 雪崩额定
  • 低漏源导通电阻(RDS(ON))和栅极电荷(QG)
  • 低封装电感
  • 高功率密度
  • 易于安装
  • 节省空间

应用领域

-开关模式和谐振模式电源-DC-DC转换器-激光脉冲器、火花点火器、射频发生器中的放电电路-高压脉冲电源-交流和直流电机驱动器-高速功率开关应用

数据手册PDF