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IXFR180N15P实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IXFR180N15P

IXFR180N15P

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商品型号
IXFR180N15P
商品编号
C7211728
包装方式
盒装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on))13mΩ@10V
耗散功率(Pd)300W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)240nC@10V
输入电容(Ciss)7nF
反向传输电容(Crss)515pF
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和高性价比的绝佳组合。 D²PAK(TO - 263)是一种表面贴装功率封装,能够容纳高达HEX - 4尺寸的芯片。它在现有的任何表面贴装封装中提供了最高的功率处理能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低,D²PAK(TO - 263)适用于大电流应用,在典型的表面贴装应用中可散热高达2.0 W。

商品特性

  • 国际标准隔离封装
  • UL 认证封装
  • 直接覆铜基板上的硅芯片
  • 高功率耗散
  • 隔离安装面
  • 2500V 电气隔离
  • 无钳位电感开关 (UIS) 额定值
  • 低封装电感
  • 易于驱动和保护
  • 快速本征二极管

数据手册PDF