IXFR36N50P
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V,19A | |
| 耗散功率(Pd) | 156W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 93nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.5nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、耐用的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 SOT - 223封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。其独特的封装设计使得它能像其他SOT或SOIC封装一样便于自动拾取和贴装，并且由于散热片的散热片增大，还具有改善热性能的额外优势。在典型的表面贴装应用中，功率耗散可能超过1.25 W。
商品特性
- 表面贴装，提供卷带包装
- 动态dV/dt额定值
- 重复雪崩额定值
- 快速开关
- 易于并联
- 驱动要求简单