商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.04kW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 197nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 12.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它通过了AEC - Q101认证，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景： 同步整流器 DC - DC转换器 初级侧开关
商品特性
- 国际标准封装
- 具备非箝位电感开关(UIS)额定值
- 封装电感低
- 易于驱动和保护
- 易于安装
- 节省空间
- 功率密度高
应用领域
- 同步整流器-DC-DC转换器-初级侧开关