商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V,75A | |
| 耗散功率(Pd) | 520W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 360nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.8nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- Q1：N沟道
- 30V/7A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) = 19mΩ（典型值）
- 当VGS = 4.5V时，RDS(ON) = 24mΩ（典型值）
- Q2：N沟道
- 30V/11.2A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) = 10mΩ（典型值）
- 当VGS = 4.5V时，R'DSON = 14mΩ（典型值）
- 肖特基二极管
- Vds = 30V，IF = 2.0A
- 当电流为1.0A时，Vsd = 0.5V
应用领域
- 同步降压转换器
- 游戏机
- 笔记本电脑