商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 300V | |
| 连续漏极电流(Id) | 88A | |
| 耗散功率(Pd) | 600W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 224nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.5nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 230pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -20 V，漏极电流（ID） = -4 A
- 当栅源电压（VGS） = -4.5 V时，导通电阻（RDS(ON)） < 36 mΩ
- 当栅源电压（VGS） = -2.5 V时，导通电阻（RDS(ON)） < 49 mΩ
- 静电放电（ESD）等级：2500V 人体模型（HBM）
应用领域
- 负载/电源开关
- 接口开关
- 逻辑电平转换