- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 26A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 560W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 260nC | |
| 输入电容(Ciss) | 8.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 300pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 800pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 国际标准封装
- 雪崩额定
- 低封装电感
- 低RDS(ON) HDMOS工艺
- 快速本征二极管
应用领域
- 开关模式和谐振模式电源
- DC - DC转换器
- 电池充电器
- 直流斩波器
- 交流电机驱动器
- 温度与照明控制