TK190U65Z,RQ
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V,7.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.37nF@300V |
商品特性
- US5U30在单个TUMT5封装中集成了P沟道MOSFET和肖特基势垒二极管。
- 高速开关，低导通电阻。
- 低电压驱动（2.5V驱动）。
- 内置低正向压降（VF）肖特基势垒二极管。
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准。
应用领域
- 开关