TK4P60D,RQ
1个N沟道 耐压:600V 电流:4A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK4P60D,RQ
- 商品编号
- C7123982
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF@25V |
商品特性
- 低漏源导通电阻：RDS (ON) = 1.2 Ω（典型值）
- 高正向传输导纳：|Yfs| = 2.8 S（典型值）
- 低漏电流：IDSS = 10μA（最大值）（VDS = 525 V）
- 增强型：Vth = 2.4 至 4.4 V（VDS = 10 V，ID = 1 mA）