TPH3R003PL,LQ
1个N沟道 耐压:30V 电流:88A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TPH3R003PL,LQ
- 商品编号
- C7125475
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 88A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@4.5V,44A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 90W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.825nF@15V |
商品概述
TP65H035WS 650V、35mΩ氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）是一款常开型器件。它结合了先进的高压GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）和低压硅MOSFET技术，具备卓越的可靠性和性能。 与硅器件相比，Transphorm GaN通过更低的栅极电荷、更低的交越损耗和更小的反向恢复电荷，提高了效率。
商品特性
- 符合JEDEC标准的GaN技术
- 动态导通电阻（RDS(on)eff）生产测试
- 坚固的设计，通过本征寿命测试和宽栅极安全裕量来定义
- 瞬态过压能力
- 极低的反向恢复电荷（QRR）
- 降低的交越损耗
- 符合RoHS标准且无卤封装
应用领域
- 数据通信
- 广泛的工业领域
- 光伏逆变器
- 伺服电机