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TPHR6503PL,L1Q
1个N沟道 耐压:30V 电流:150A
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- 描述
- 特性：高速开关。 小栅极电荷：QSW = 30 nC（典型值）。 小输出电荷：QSS = 81.3 nC（典型值）。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.41 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。 低泄漏电流：IPASS = 10 μA（最大值）(VDS = 30 V)。 增强模式：VDM = 1.1 至 2.1 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。 开关稳压器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TPHR6503PL,L1Q
- 商品编号
- C7125477
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.173181克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.65mΩ@10V,50A | |
| 耗散功率(Pd) | 170W；960mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 高速开关
- 栅极电荷小：QSW = 30 nC（典型值）
- 输出电荷小：Qoss = 81.3 nC（典型值）
- 漏源导通电阻低：RDS(ON) = 0.41 mΩ（典型值）（VGS = 10 V）
- 漏电流低：IDSS = 10 μA（最大值）（VDS = 30 V）
- 增强型：Vth = 1.1 至 2.1 V（VDS = 10 V，ID = 1.0 mA）
应用领域
- 高效 DC-DC 转换器
- 开关稳压器
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