温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V,4A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 44.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.16nF@10V |
商品特性
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.4Ω（典型值）
- 高正向传输导纳：|Yfs| = 2.5 S（典型值）
- 低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）（VDS = 600 V）
- 增强型：Vth = 2.4 至 4.4 V（VDS = 10 V，ID = 1 mA）
应用领域
- 开关稳压器