温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 44.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.16nF |
商品特性
- 通过 AEC-Q101 认证
- 封装小巧轻薄
- 栅极电荷小:QSW = 14.0 nC(典型值)
- 漏源导通电阻低:RDS(ON) = 13.9 mΩ(典型值)(VGS = -10 V)
- 漏电流低:IDSS = -10 μA(最大值)(VDS = -40 V)
- 增强型:Vth = -2 至 -3 V(VDS = -10 V,ID = -1 mA)
应用领域
-电机驱动器-移动设备