TK25A60X5,S5X
1个N沟道 耐压:600V 电流:25A
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK25A60X5,S5X
- 商品编号
- C7123970
- 商品封装
- TO-220SIS
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.383克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.4nF |
商品概述
ALD310708A/ALD310708高精度单片四通道P沟道MOSFET阵列采用ALD成熟的EPAD CMOS技术在工厂进行匹配。该器件有四通道版本，是EPAD匹配对MOSFET系列的成员。ALD310708A/ALD310708是广受欢迎的ALD110808A/ALD110808精密阈值器件的P沟道版本。这两个MOSFET系列共同支持基于互补精密N沟道和P沟道MOSFET阵列的电路。 ALD310708A/ALD310708适用于低电压、低功率小信号应用，其特点是具有精确的-0.80V栅极阈值电压，这使得电路设计能够使用非常低的工作电压，例如2V电源，此时电路在ALD310708A/ALD310708的阈值电压以下工作。这一特性还扩展了输入/输出信号的工作范围，特别是在极低工作电压环境中。使用这些低阈值精密器件，可以构建多级级联电路，使其在极低的电源或偏置电压水平下工作。ALD310708A/ALD310708还具有高输入阻抗（2.5 × 10^10Ω）和高直流电流增益（>10^8）。 ALD310708A/ALD310708 MOSFET的设计旨在实现器件电气特性的出色匹配。栅极阈值电压VGS(th)精确设置为-0.80V ± 0.02V，典型失调电压仅为± 0.001V（1mV）。由于这些器件位于同一单片芯片上，它们还具有出色的温度跟踪特性。它们是广泛的精密模拟应用的通用设计组件，例如电流镜、匹配电路、电流源、差分放大器输入级、传输门和多路复用器的基本构建模块。这些器件在有限工作电压应用中也表现出色，例如极低电平精密电压钳位。除了匹配对电气特性外，每个单独的MOSFET都具有良好控制的制造特性，使用户能够依赖不同生产批次的严格设计限制。 这些器件旨在提供最小的失调电压和差分热响应，它们还可用于-0.80V至-8.0V（±0.40V至±4.0V）供电系统中的开关和放大应用，这些系统需要低输入偏置电流、低输入电容和快速开关速度。这些器件具有良好控制的关断和亚阈值特性，其工作方式与标准增强型P沟道MOSFET相同。然而，栅极阈值电压的精度带来了两个关键的额外特性或操作特点。首先，在栅极阈值电压或以下（亚阈值区域），工作电流水平随栅极偏置电压呈指数变化。其次，电路可以在亚阈值区域以nA级的偏置电流和nW级的功耗进行偏置和操作。
商品特性
- 快速反向恢复时间:trr = 120 ns(典型值)
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.12Ω(典型值)
- 易于控制栅极开关
- 增强型:Vth = 3 至 4.5 V(VDS = 10 V,ID = 1.2 mA)
应用领域
- 开关稳压器