TK39N60W,S1VF
1个N沟道 耐压:600V 电流:38.8A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK39N60W,S1VF
- 商品编号
- C7123974
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 38.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@10V,19.4A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 270W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.1nF@300V |
商品概述
采用先进沟槽技术设计的N沟道功率MOSFET。该器件具备出色的栅极电荷和导通电阻RDS(on)，可大幅降低开关和传导损耗。因此，它非常适用于AC/DC电源转换、负载开关和工业电源应用。
商品特性
- 漏源击穿电压VDSS = 60 V，漏极电流ID = 80 A
- 栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) = 7.9 mΩ（最大值）
- 100%经过雪崩测试
- 易于使用和驱动
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC/DC转换器
- 电池充放电保护
- 负载开关
- 同步整流