TK42E12N1,S1X
1个N沟道 耐压:120V 电流:88A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK42E12N1,S1X
- 商品编号
- C7123980
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 88A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.4mΩ@10V,21A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 140W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.1nF@60V |
商品概述
采用特定应用（ASFET）增强型安全工作区（SOA）技术的LFPAK33封装单通道、逻辑电平N沟道MOSFET。该产品已按照AEC-Q101标准进行设计和认证，可用于安全气囊应用的线性模式。
商品特性
- 在175°C温度下完全符合AEC-Q101汽车级标准
- 采用增强型SOA技术，提升线性模式性能
- LFPAK铜夹封装技术：
- 高稳健性和电流处理能力
- 鸥翼式引脚，便于自动光学检测（AOI），且具备出色的电路板级可靠性
应用领域
- 12 V汽车系统
- 安全气囊点火器电压调节器MOSFET