TK210V65Z,LQ
1个N沟道 耐压:650V 电流:15A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK210V65Z,LQ
- 商品编号
- C7123966
- 商品封装
- DFN-4-EP(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.361748克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 210mΩ@10V,7.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 130W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.37nF@300V |
商品特性
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.149Ω(典型值)
- 低电容,具备高速开关特性。
- 增强型:Vth = 3至4 V(VDS = 10 V,ID = 0.61 mA)
应用领域
- 开关电源
