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SI4420BDY-T1-E3
1个N沟道 耐压:30V 电流:9.5A
- 描述
- 特性：无卤，符合IEC 61249-2-21定义。 TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg测试。 RoHS合规，无卤可用
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4420BDY-T1-E3
- 商品编号
- C7010733
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.298609克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V,13.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 |
交货周期
订货7-9个工作日购买数量
(1个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单
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