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IAUC120N04S6L008ATMA1
1个N沟道 耐压:40V 电流:120A
- 描述
- 特性：用于汽车应用的功率MOSFET，N沟道。 增强模式。 逻辑电平。 通过AEC Q101认证。 MSL1可达260°C峰值回流温度。 工作温度为175°C。 环保产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IAUC120N04S6L008ATMA1
- 商品编号
- C6968160
- 商品封装
- TDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.62克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 140nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.91nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 适用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET
- N沟道 - 增强型 - 逻辑电平
- 通过AEC Q101认证
- 最高260°C峰值回流温度下的MSL1
- 工作温度达175°C
- 绿色产品(符合RoHS标准)
- 100%雪崩测试
- HW-08-08-SM-D-315-SM-LC-TR
- HW-08-08-T-D-300-110
- IBF12012A007V-007-R
- HW-08-08-T-S-280-SM-LC
- HW-08-08-T-S-290-SM
- HW-08-08-T-S-310-110
- HW-08-09-L-D-433-SM-A
- IBR3SAD200
- IBS04SF08A2PO
- HW-08-09-L-S-250-SM
- HW-08-09-LM-S-300-SM-A
- HW-08-09-S-D-300-320
- ICA-308-SGG
- HW-08-09-S-D-450-SM-A
- HW-08-09-T-D-350-110-003
- ICA-316-SST
- HW-08-09-T-S-250-SM
- ICB12L50F02NOM1
- HW-08-10-G-S-250-SM-A
- ICB12L50F06NO
- HW-08-11-F-D-550-SM-A