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IPD60R180C7ATMA1
1个N沟道 耐压:650V 电流:8A
- 描述
- CoolMOs TM C7是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。600V CoolMOs TM C7系列将领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新技术相结合。600V C7是首款导通电阻RDS(on)与芯片面积A的乘积低于10 mΩ·mm²的技术
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD60R180C7ATMA1
- 商品编号
- C6969209
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.69克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@10V,5.3A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 68W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.08nF@400V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
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