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IPDQ60R065S7XTMA1
1个N沟道 耐压:600V 电流:9A
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- 描述
- 适用于低频开关应用，具备最佳性价比。拥有HV SJ MOSFET中最低的RDS(on)值，显著提高能源效率。针对“静态开关”和大电流应用进行了优化，是固态继电器和断路器设计以及开关电源和逆变器拓扑中线路整流的理想选择。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPDQ60R065S7XTMA1
- 商品编号
- C6969219
- 商品封装
- HDSOP-22
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.84克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@12V,8A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 195W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 51nC@12V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.932nF@300V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 低导通电阻
- 高电流
- 高功率封装
应用领域
- 开关应用