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IPP016N06NF2SAKMA1引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPP016N06NF2SAKMA1

适用于广泛应用的N沟道MOSFET功率晶体管,经过100%雪崩测试,无铅且符合RoHS和无卤标准

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商品型号
IPP016N06NF2SAKMA1
商品编号
C6969239
商品封装
TO-220-3-U05​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)194A
导通电阻(RDS(on))1.42mΩ@10V
耗散功率(Pd)250W
阈值电压(Vgs(th))2.8V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)155nC
输入电容(Ciss)10.5nF
反向传输电容(Crss)75pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)2.19nF
栅极电压(Vgs)±20V

商品特性

  • 针对广泛的应用进行优化
  • N沟道,常电平
  • 100%雪崩测试
  • 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
  • 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

应用领域

  • 可编程负载-电流调节器-DC-DC转换器-电池充电器-直流斩波器-温度和照明控制

数据手册PDF