温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IPZ40N04S5L4R8ATMA1
1个N沟道 耐压:40V 电流:40A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：用于汽车应用的功率MOSFET-N沟道。 增强模式。 逻辑电平。 AEC Q101合格。 MSL1可达260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPZ40N04S5L4R8ATMA1
- 商品编号
- C6969335
- 商品封装
- TSDSON-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.158克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.8mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 48W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.56nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- 直接覆铜陶瓷基板（DCB）上的硅芯片
- UL认证封装
- 隔离安装面
- 2500V电气隔离
- 雪崩额定
- 耐用的PolarP™工艺
- 低栅极电荷（QG）
- 低漏极到散热片电容
- 低封装电感
- 易于驱动和保护
应用领域
- 高端开关-推挽放大器-直流斩波器-自动测试设备-负载开关应用-燃油喷射系统
其他推荐