IPBE65R099CFD7AATMA1
1个N沟道 耐压:650V 电流:24A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPBE65R099CFD7AATMA1
- 商品编号
- C6969195
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.907克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 99mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 127W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 53nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.513nF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
650V CoolMOS CFD7A 集成了 快速本体二极管，可用于 功率因数校正（PFC） 和 谐振开关拓扑，例如 ZVS 相移全桥 和 LLC。
商品特性
- 最新 650 V 汽车级技术，集成 高速本体二极管，具备超低 Qrr
- FOM（RDS(ON)×Qg 和 RDS(ON)×Eoss）全球最低
- 100% 雪崩测试
- 提供 Kelvin 源极接点
- SMD 与 THD 封装中 RDS(ON) 表现同级最佳
应用领域
- 单向及双向 DC-DC 转换器
- 板载电池充电器