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IPD12CN10NGATMA1
1个N沟道 耐压:100V 电流:67A
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- 描述
- 特性：N沟道，正常电平。出色的栅极电荷×导通电阻（FOM）乘积。极低的导通电阻RDS(on)。175℃工作温度。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。适用于高频开关和同步整流。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD12CN10NGATMA1
- 商品编号
- C6969203
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 67A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.4mΩ@10V,67A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.32nF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- 针对同步整流优化的技术
- 非常适合高频开关和 DC/DC 转换器
- 出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积（品质因数 FOM）
- 极低的导通电阻 RDS(on)
- N 沟道，标准电平
- 100% 雪崩测试
- 无铅镀层；符合 RoHS 标准，无卤
- 针对目标应用通过 JEDEC 认证