IPB025N10N3GE8187ATMA1
1个N沟道 耐压:100V 电流:180A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB025N10N3GE8187ATMA1
- 商品编号
- C6969182
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.907克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 206nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 14.8nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
650V CoolMOS CFD7A集成了快速体二极管，可用于PFC和诸如ZVS移相全桥和LLC等谐振开关拓扑。
商品特性
- N沟道,常电平
- 出色的栅极电荷x导通电阻RDS(on)乘积(品质因数)
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 高电流承载能力
- 175°C工作温度
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
- 按照JEDEC标准针对目标应用进行了认证
- 按照IEC61249-2-21标准为无卤产品
应用领域
- 单向和双向DC-DC转换器-车载电池充电器